Samsung Electronics Co., Ltd., leader mondial en matière de technologie de mémoire avancée, a annoncé aujourd'hui qu'elle a commencé la production de masse de la première carte mémoire eUFS (mémoire flash universelle embarquée) 3.1 de 512 gigaoctets (Go) du secteur pour une utilisation dans des flagships. Assurant une vitesse d'écriture trois fois supérieure à celle de la précédente mémoire mobile eUFS 3.0 de 512 Go, la nouvelle carte mémoire eUFS 3.1 de Samsung dépasse le seuil de performance de 1 Go/s pour la mémoire de stockage des smartphones.

« Grâce à l’introduction de la mémoire mobile la plus rapide du marché, les utilisateurs de smartphones n'auront plus à se soucier de la saturation caractéristique des cartes mémoires classiques, » a déclaré Roderick Niehorster, Product Manager, Memory Business chez Samsung Benelux. « Le nouveau eUFS 3.1 montre que nous répondons à la demande des fabricants de smartphones pour une mémoire toujours plus rapide. »

Avec une vitesse d'écriture séquentielle de plus de 1 200 Mo/s, la carte mémoire eUFS 3.1 de 512 Go de Samsung est deux fois plus rapide qu'un PC basé sur SATA (540 Mo/s) et dix fois plus rapide qu'une carte microSD UHS-I (90 Mo/s). Autrement dit, les consommateurs peuvent profiter de la vitesse d'un ordinateur ultraportable lorsqu'ils stockent des fichiers volumineux comme des vidéos de 8K ou plusieurs centaines de photos de grande taille dans leur smartphone, sans bluffer. Le transfert de contenu d'un ancien téléphone vers un nouvel appareil sera aussi nettement plus rapide. Les téléphones équipés de la nouvelle carte mémoire eUFS 3.1 ne mettront qu'environ 1,5 minute pour transférer 100 Go de données, alors que les téléphones dotés de la carte mémoire UFS 3.0 se plient à cet exercice en plus de quatre minutes.

En termes de performances aléatoires, la carte mémoire eUFS 3.1 de 512 Go assure un traitement des données jusqu'à 60 % plus rapide que la version UFS 3.0 largement utilisée, gérant ainsi 100 000 opérations d'entrée/sortie par seconde (IOPS) en lecture et 70 000 IOPS en écriture.

Parallèlement à l’option de 512 Go, Samsung proposera également des capacités de 256 Go et 128 Go pour les smartphones qui seront lancés plus tard dans l'année.

Samsung a commencé ce mois-ci la production de masse de la cinquième génération de V-NAND sur sa nouvelle ligne de Xi'an, en Chine, afin de répondre pleinement à la demande de stockage sur l'ensemble du marché des flagships haut de gamme. L’entreprise prévoit bientôt de transférer la production de masse de V-NAND sur sa ligne de Pyeongtaek en Corée de la cinquième génération à la sixième génération de V-NAND pour mieux répondre à la demande croissante.

 

Communiqué par Samsung, 


Publié le 17 mars 2020